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K4S560832A-TL75
存储 > DRAM

K4S560832A-TL75

Samsung Semiconductor
Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.8
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1498508764
零件包装代码 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSOP54,.46,32
针数 54
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.24
风险等级 9.8
YTEOL 0
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz
I/O 类型 COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G54
JESD-609代码 e0
长度 22.22 mm
内存密度 268435456 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 8
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 54
字数 33554432 words
字数代码 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 32MX8
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2
封装等效代码 TSOP54,.46,32
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified
刷新周期 8192
座面最大高度 1.2 mm
自我刷新 YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.002 A
最大压摆率 0.21 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 GULL WING
端子节距 0.8 mm
端子位置 DUAL
宽度 10.16 mm
参数规格与技术文档
Samsung Semiconductor
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