K4S281632D-TP1H

存储 > DRAM

K4S281632D-TP1H

Samsung Semiconductor

Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

数据手册:

下载: K4S281632D-TP1H

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.73

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 119 个替代料
Samsung Semiconductor 16 个替代料
ProMOS Technologies Inc 35 个替代料
Micron Technology Inc 26 个替代料
Integrated Silicon Solution Inc 15 个替代料
Nanya Technology Corporation 2 个替代料
Toshiba America Electronic Components 3 个替代料
LG Semicon Co Ltd 2 个替代料
Elpida Memory Inc 5 个替代料
SK Hynix Inc 9 个替代料
Qimonda AG 1 个替代料
Mosel Vitelic Corporation 2 个替代料
Infineon Technologies AG 1 个替代料
Chiplus Semiconductor Corp 1 个替代料
B&B Electronics Manufacturing Company 1 个替代料

对比栏已满，请删除不需要的器件再继续添加哦！

对比栏

对比清空对比栏

ICP经营许可证苏B2-20140176 苏ICP备14012660号-5

苏公网安备 32059002001873号