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K4S280432D-TP1H
存储 > DRAM

K4S280432D-TP1H

Samsung Semiconductor
Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.51
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1936531793
零件包装代码 TSOP2
包装说明 TSOP2,
针数 54
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 8.51
YTEOL 0
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G54
长度 22.22 mm
内存密度 134217728 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 4
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 54
字数 33554432 words
字数代码 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 32MX4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm
自我刷新 YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING
端子节距 0.8 mm
端子位置 DUAL
宽度 10.16 mm
参数规格与技术文档
Samsung Semiconductor
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