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IRFWZ44

Samsung Semiconductor

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

数据手册:

下载: IRFWZ44

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.49

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 91 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 9 个替代料
Fuji Electric Co Ltd 13 个替代料
Renesas Electronics Corporation 29 个替代料
ROHM Semiconductor 4 个替代料
Infineon Technologies AG 9 个替代料
SANYO Electric Co Ltd 10 个替代料
onsemi 4 个替代料
Samsung Semiconductor 5 个替代料
Panasonic Electronic Components 1 个替代料
International Rectifier 1 个替代料
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd 2 个替代料
Hitachi Ltd 1 个替代料
Vishay Intertechnologies 3 个替代料

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