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IRFW634B

Fairchild Semiconductor Corporation

Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

数据手册:

下载: IRFW634B

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.71

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 119 个替代料
STMicroelectronics 31 个替代料
Sensitron Semiconductors 2 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 38 个替代料
Infineon Technologies AG 6 个替代料
Renesas Electronics Corporation 2 个替代料
Samsung Semiconductor 7 个替代料
Advanced Power Technology 2 个替代料
NXP Semiconductors 12 个替代料
National Semiconductor Corporation 6 个替代料
Texas Instruments 6 个替代料
onsemi 2 个替代料
ROHM Semiconductor 1 个替代料
Harris Semiconductor 1 个替代料
Intersil Corporation 1 个替代料
International Rectifier 2 个替代料

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