晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFW610A

Fairchild Semiconductor Corporation

Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

数据手册:

下载: IRFW610A

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.83

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 117 个替代料
Samsung Semiconductor 8 个替代料
STMicroelectronics 7 个替代料
Renesas Electronics Corporation 11 个替代料
ROHM Semiconductor 4 个替代料
Motorola Semiconductor Products 1 个替代料
International Rectifier 4 个替代料
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd 2 个替代料
Panasonic Electronic Components 2 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 45 个替代料
Powerex Power Semiconductors 4 个替代料
NXP Semiconductors 10 个替代料
SANYO Electric Co Ltd 8 个替代料
Toshiba America Electronic Components 1 个替代料
Harris Semiconductor 3 个替代料
Diodes Incorporated 3 个替代料
Mitsubishi Electric 1 个替代料
Infineon Technologies AG 2 个替代料
onsemi 1 个替代料

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