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IRFW34A
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFW34A

Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 101435373
包装说明 ,
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.49
YTEOL 0
配置 SINGLE
最大漏极电流 (ID) 30 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 77 W
表面贴装 YES
参数规格与技术文档
Samsung Semiconductor
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