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IRFW34A

Samsung Semiconductor

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册:

下载: IRFW34A

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.49

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 92 个替代料
STMicroelectronics 10 个替代料
Alpha & Omega Semiconductor 11 个替代料
Infineon Technologies AG 8 个替代料
Unisonic Technologies Co Ltd 8 个替代料
Renesas Electronics Corporation 11 个替代料
NXP Semiconductors 5 个替代料
International Rectifier 4 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 26 个替代料
onsemi 3 个替代料
Samsung Semiconductor 2 个替代料
IXYS Corporation 1 个替代料
Vishay Intertechnologies 3 个替代料

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