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IRFP362
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFP362

Intersil Corporation
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,20A I(D),TO-247
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.71
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IRFP362
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 101434774
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.71
YTEOL 0
配置 SINGLE
最大漏极电流 (ID) 20 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0
元件数量 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 250 W
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
参数规格与技术文档
Intersil Corporation
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