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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | IRF6616TRPBF |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 8006007493 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 17 weeks 3 days |
| 风险等级 | 6.72 |
| Samacsys Description | MOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| YTEOL | 0 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 36 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 19 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.005 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-XBCC-N3 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 150 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号