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IRF3515L

Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

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生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.68

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料同型号不同厂商

替代料

全部厂商 79 个替代料
International Rectifier 19 个替代料
Vishay Intertechnologies 5 个替代料
Infineon Technologies AG 36 个替代料
Alpha & Omega Semiconductor 2 个替代料
Unisonic Technologies Co Ltd 9 个替代料
Renesas Electronics Corporation 7 个替代料
STMicroelectronics 1 个替代料

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