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IRF152
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF152

Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, TO-204AE, 2 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.71
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IRF152
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1436438170
零件包装代码 BFM
包装说明 TO-204AE, 2 PIN
针数 2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.71
YTEOL 0
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 33 A
最大漏源导通电阻 0.08 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-204AE
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 132 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG
端子位置 BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Fairchild Semiconductor Corporation
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