参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1404821048 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.29.00.95 |
风险等级 | 9.75 |
YTEOL | 0 |
雪崩能效等级(Eas) | 100 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 25 A |
最大漏源导通电阻 | 0.1 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-204AE |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 150 W |
最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 100 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 135 ns |
最大开启时间(吨) | 133 ns |