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IRF141
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF141

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,28A I(D),TO-204AE
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.72
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IRF141
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 105373396
包装说明 ,
Reach Compliance Code unknown
风险等级 9.72
YTEOL 0
配置 Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 28 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
参数规格与技术文档
Freescale Semiconductor
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