晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF140-JQR-B

TT Electronics Resistors

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-2

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参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 96 个替代料
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited 11 个替代料
Infineon Technologies AG 1 个替代料
TT Electronics Resistors 11 个替代料
Harris Semiconductor 10 个替代料
Motorola Semiconductor Products 6 个替代料
STMicroelectronics 5 个替代料
Vishay Intertechnologies 2 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 2 个替代料
Intersil Corporation 13 个替代料
Sensitron Semiconductors 3 个替代料
Defense Logistics Agency 2 个替代料
International Rectifier 19 个替代料
Motorola Mobility LLC 5 个替代料
Rochester Electronics LLC 1 个替代料
Unitrode Corporation 5 个替代料

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