晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF132

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.75

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料同型号不同厂商

替代料

全部厂商 77 个替代料
Solitron Devices Inc 2 个替代料
Microchip Technology Inc 2 个替代料
Advanced Power Technology 14 个替代料
Infineon Technologies AG 2 个替代料
Intersil Corporation 4 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 15 个替代料
Microsemi FPGA & SoC 9 个替代料
Supertex Inc 1 个替代料
International Rectifier 5 个替代料
Samsung Semiconductor 2 个替代料
IXYS Corporation 2 个替代料
STMicroelectronics 1 个替代料
Renesas Electronics Corporation 1 个替代料
Harris Semiconductor 2 个替代料
National Semiconductor Corporation 4 个替代料
Omnirel Corp 2 个替代料
Texas Instruments 1 个替代料
Semiconductor Technology Inc 8 个替代料

对比栏已满，请删除不需要的器件再继续添加哦！

对比栏

对比清空对比栏

ICP经营许可证苏B2-20140176 苏ICP备14012660号-5

苏公网安备 32059002001873号