IRF130SMD-QR-EB

晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF130SMD-QR-EB

TT Electronics Resistors

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN

数据手册:

下载: IRF130SMD-QR-EB

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Active

风险等级:

7.73

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 84 个替代料
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited 10 个替代料
Sensitron Semiconductors 3 个替代料
TT Electronics Resistors 9 个替代料
Defense Logistics Agency 2 个替代料
International Rectifier 19 个替代料
Motorola Semiconductor Products 4 个替代料
Harris Semiconductor 14 个替代料
Motorola Mobility LLC 6 个替代料
Rochester Electronics LLC 1 个替代料
STMicroelectronics 3 个替代料
Unitrode Corporation 5 个替代料
Intersil Corporation 8 个替代料

对比栏已满，请删除不需要的器件再继续添加哦！

对比栏

对比清空对比栏

ICP经营许可证苏B2-20140176 苏ICP备14012660号-5

苏公网安备 32059002001873号