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IRF130
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF130

14A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥81.0118
市场总库存:
2
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.53
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1417251511
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 8.53
YTEOL 0
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 14 A
最大漏源导通电阻 0.18 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 150 pF
JEDEC-95代码 TO-204AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 75 W
最大功率耗散 (Abs) 75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 56 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG
端子位置 BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 85 ns
最大开启时间(吨) 105 ns
参数规格与技术文档
Motorola Mobility LLC
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