晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF130-JQR-BR1

TT Electronics Resistors

Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3

数据手册:

下载: IRF130-JQR-BR1

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Active

风险等级:

6.53

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 99 个替代料
TT Electronics Resistors 12 个替代料
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited 11 个替代料
Infineon Technologies AG 5 个替代料
Motorola Semiconductor Products 5 个替代料
Motorola Mobility LLC 7 个替代料
Rochester Electronics LLC 1 个替代料
Harris Semiconductor 13 个替代料
International Rectifier 16 个替代料
Unitrode Corporation 5 个替代料
Microsemi FPGA & SoC 5 个替代料
Intersil Corporation 11 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 1 个替代料
Sensitron Semiconductors 3 个替代料
Defense Logistics Agency 2 个替代料
STMicroelectronics 2 个替代料

对比栏已满，请删除不需要的器件再继续添加哦！

对比栏

对比清空对比栏

ICP经营许可证苏B2-20140176 苏ICP备14012660号-5

苏公网安备 32059002001873号