参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | IRF1010N-004PBF |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 8006005614 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 9.4 |
YTEOL | 0 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 55 V |
最大漏极电流 (ID) | 72 A |
最大漏源导通电阻 | 0.012 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | MATTE TIN OVER NICKEL |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON |