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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | IPW65R080CFDAFKSA1 |
| 是否无铅 |  不含铅 |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1299752740 |
| 零件包装代码 | TO-247 |
| 包装说明 | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 4 weeks |
| 风险等级 | 6.59 |
| Samacsys Description | MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas） | 1160 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 650 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 43.3 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.08 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-247 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 137 A |
| 参考标准 | AEC-Q101 |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号