Sun Jun 02 2024 04:43:55 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
IC41C4100-50T
存储 > DRAM

IC41C4100-50T

Integrated Circuit Solution Inc
EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
8.52
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Transferred
Objectid 104487322
包装说明 TSOP, TSOP20/26,.36
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 8.52
最长访问时间 50 ns
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G20
JESD-609代码 e0
内存密度 4194304 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM
内存宽度 4
端子数量 20
字数 1048576 words
字数代码 1000000
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 1MX4
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP
封装等效代码 TSOP20/26,.36
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified
刷新周期 1024
自我刷新 NO
最大待机电流 0.001 A
最大压摆率 0.095 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
Integrated Circuit Solution Inc
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
相关器件
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消