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HYB514400BTL-50
存储 > DRAM

HYB514400BTL-50

Infineon Technologies AG
Fast Page DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.2
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid HYB514400BTL-50
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1537642615
零件包装代码 TSOP
包装说明 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
针数 20
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 9.2
YTEOL 0
访问模式 FAST PAGE
最长访问时间 50 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESH
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G20
JESD-609代码 e0
长度 17.14 mm
内存密度 4194304 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM
内存宽度 4
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 20
字数 1048576 words
字数代码 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 1MX4
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2
封装等效代码 TSSOP20/26,.36
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified
刷新周期 1024
座面最大高度 1.2 mm
自我刷新 NO
最大待机电流 0.0002 A
最大压摆率 0.12 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
宽度 7.62 mm
参数规格与技术文档
Infineon Technologies AG
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