HY57V641620ESTP-H

存储 > DRAM

HY57V641620ESTP-H

SK Hynix Inc

Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54

数据手册:

下载: HY57V641620ESTP-H

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.62

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 117 个替代料
SK Hynix Inc 22 个替代料
ProMOS Technologies Inc 12 个替代料
Winbond Electronics Corp 4 个替代料
Micron Technology Inc 11 个替代料
AMIC Technology 3 个替代料
Integrated Silicon Solution Inc 12 个替代料
Elite Semiconductor Memory Technology Inc 3 个替代料
Alliance Memory Inc 1 个替代料
Nanya Technology Corporation 3 个替代料
Mosel Vitelic Corporation 5 个替代料
Elpida Memory Inc 4 个替代料
Samsung Semiconductor 24 个替代料
Infineon Technologies AG 3 个替代料
Vanguard International Semiconductor Corporation 3 个替代料
Ramtron International Corporation 1 个替代料
Toshiba America Electronic Components 3 个替代料
IBM 1 个替代料
TM Technology Inc 1 个替代料
FUJITSU Limited 1 个替代料

对比栏已满，请删除不需要的器件再继续添加哦！

对比栏

对比清空对比栏

ICP经营许可证苏B2-20140176 苏ICP备14012660号-5

苏公网安备 32059002001873号