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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1447087262 |
| 零件包装代码 | DIE |
| 包装说明 | DIE, |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Country Of Origin | USA |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| HTS代码 | 8542.32.00.41 |
| 风险等级 | 7.38 |
| YTEOL | 4 |
| 最长访问时间 | 25 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XUUC-N |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 128KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIE |
| 封装等效代码 | DIE OR CHIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 反向引出线 | NO |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class S |
| 最大待机电流 | 0.0007 A |
| 最小待机电流 | 2.5 V |
| 最大压摆率 | 0.24 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V |
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苏公网安备 32059002001873号