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GS88218BB-225
存储 > SRAM

GS88218BB-225

GSI Technology
Cache SRAM, 512KX18, 6ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.6
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1960891704
零件包装代码 BGA
包装说明 BGA,
针数 119
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 9.6
YTEOL 0
最长访问时间 6 ns
其他特性 FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
JESD-30 代码 R-PBGA-B119
JESD-609代码 e0
长度 22 mm
内存密度 9437184 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM
内存宽度 18
湿度敏感等级 3
功能数量 1
端子数量 119
字数 524288 words
字数代码 512000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 512KX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 220
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.99 mm
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 BALL
端子节距 1.27 mm
端子位置 BOTTOM
宽度 14 mm
参数规格与技术文档
GSI Technology
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