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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否无铅 |  不含铅 |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 2031430911 |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, BGA48,6X8,30 |
| 针数 | 48 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Country Of Origin | Taiwan |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
| HTS代码 | 8542.32.00.41 |
| Factory Lead Time | 29 weeks |
| 风险等级 | 4.04 |
| Samacsys Manufacturer | GSI TECHNOLOGY |
| Samacsys Modified On | 2019-04-30 10:13:13 |
| YTEOL | 4 |
| 最长访问时间 | 8 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 8 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64KX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.002 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.125 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 6 mm |
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苏公网安备 32059002001873号