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FQPF27P06

onsemi

Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -60 V, -17 A, 26 mΩ, TO-220F, TO-220-3 FullPak, 1000-TUBE

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥17.7026

市场总库存:

3,314

生命周期状态:

Active

风险等级:

1.16

风险等级:

低

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	FQPF27P06
Brand Name	onsemi
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	4001117306
零件包装代码	TO-220-3 FullPak
包装说明	TO-220F, 3 PIN
制造商包装代码	221AT
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	9 weeks
风险等级	1.16
Samacsys Description	-17A, -60V, RDS(on) = 26mΩ(Max.) @VGS = -10 V, ID = -8.5A; Low gate charge ( Typ. 33nC); Low Crss ( Typ. 120pF); 100% avalanche tested; 175°C maximum junction temperature rating
Samacsys Manufacturer	onsemi
Samacsys Modified On	2025-01-22 16:53:39
雪崩能效等级（Eas）	560 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	17 A
最大漏源导通电阻	0.07 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	47 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	68 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

参数规格与技术文档

全部

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