晶体管 > IGBT

FGB30N6S2

Fairchild Semiconductor Corporation

Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3

数据手册:

下载: FGB30N6S2

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.41

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 100 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 43 个替代料
STMicroelectronics 16 个替代料
Infineon Technologies AG 9 个替代料
onsemi 10 个替代料
International Rectifier 19 个替代料
Microsemi FPGA & SoC 2 个替代料
IXYS Corporation 1 个替代料

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