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FGB30N6S2
晶体管 > IGBT

FGB30N6S2

Fairchild Semiconductor Corporation
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.41
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid FGB30N6S2
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1911054349
零件包装代码 D2PAK
包装说明 PLASTIC, D2PAK-3
针数 3
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.41
YTEOL 0
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 45 A
集电极-发射极最大电压 600 V
配置 SINGLE
最大降落时间(tf) 100 ns
门极发射器阈值电压最大值 5 V
门极-发射极最大电压 20 V
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 167 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 163 ns
标称接通时间 (ton) 28 ns
参数规格与技术文档
Fairchild Semiconductor Corporation
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