参数名称 | 参数值 |
---|---|
Source Content uid | FDZ663P |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 4001113560 |
包装说明 | 0.80 X 0.80 MM, ROHS COMPLIANT, THIN, WL-CSP-4 |
制造商包装代码 | 567RB |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 4 weeks |
风险等级 | 9.53 |
Samacsys Description | FDZ663P P-Channel MOSFET Transistor, 2.7 A, 20 V, 4-Pin WLCSP Fairchild |
Samacsys Manufacturer | onsemi |
Samacsys Modified On | 2019-11-12 22:37:16 |
YTEOL | 0 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 2.7 A |
最大漏源导通电阻 | 0.134 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 80 pF |
JESD-30 代码 | S-PBGA-B4 |
JESD-609代码 | e1 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1.3 W |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | BALL |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |