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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | FDZ663P |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 |  不含铅 |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 4001113560 |
| 包装说明 | 0.80 X 0.80 MM, ROHS COMPLIANT, THIN, WL-CSP-4 |
| 制造商包装代码 | 567RB |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 4 weeks |
| 风险等级 | 9.53 |
| Samacsys Description | FDZ663P P-Channel MOSFET Transistor, 2.7 A, 20 V, 4-Pin WLCSP Fairchild |
| Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Samacsys Modified On | 2019-11-12 22:37:16 |
| YTEOL | 0 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 2.7 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.134 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 80 pF |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B4 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.3 W |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号