随身查
扫码添加小程序
手机随时查器件
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | FDZ191P |
| Brand Name | onsemi |
| 是否无铅 |  不含铅 |
| 生命周期 | End Of Life |
| Objectid | 4001116703 |
| 包装说明 | 0.65 MM HEIGHT, ULTRA THIN, BGA-6 |
| 制造商包装代码 | 567PW |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 6.67 |
| Samacsys Description | ON SEMICONDUCTOR - FDZ191P. - N CHANNEL MOSFET, -20V, -3A, WL-CSP |
| Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 3 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.2 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B6 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 6 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.5 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
登录 
苏公网安备 32059002001873号