参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | FDZ1827NZ |
生命周期 | Transferred |
Objectid | 1291008789 |
包装说明 | 2.30 X 1.30 MM, 0.35 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRA THIN, WL-CSP-6 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 8.12 |
配置 | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 380 pF |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B6 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
端子形式 | BALL |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |