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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | FDZ1827NZ |
| 生命周期 | Transferred |
| Objectid | 1291008789 |
| 包装说明 | 2.30 X 1.30 MM, 0.35 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRA THIN, WL-CSP-6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 8.12 |
| 配置 | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 380 pF |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B6 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 6 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | BALL |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号