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FDZ1323NZ
晶体管 > 小信号场效应晶体管

FDZ1323NZ

Common Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench® WL-CSP MOSFET 20V, 10A, 13mΩ, 5000-REEL
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥20.2966
市场总库存:
24,504
生命周期状态:
Active
风险等级:
1.06
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid FDZ1323NZ
Brand Name onsemi
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
Objectid 4001115993
包装说明 2.30 X 1.30 MM, 0.35 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRA THIN, WL-CSP-6
制造商包装代码 567RE
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Philippines
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 4 weeks
风险等级 1.06
Samacsys Description MOSFET COMMONDRAIN N-CH. 2.5 V P
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2024-02-02 09:49:53
YTEOL 5.4
配置 COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V
最大漏源导通电阻 0.018 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 380 pF
JESD-30 代码 R-PBGA-B6
JESD-609代码 e1
湿度敏感等级 1
元件数量 2
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2 W
表面贴装 YES
端子面层 TIN SILVER COPPER
端子形式 BALL
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 77 ns
最大开启时间(吨) 45 ns
参数规格与技术文档
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