参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | FDT86246 |
Brand Name | onsemi |
是否无铅 | 不含铅 |
生命周期 | Active |
Objectid | 4001113228 |
包装说明 | ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 |
制造商包装代码 | 318H-01 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Country Of Origin | Philippines |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 4 weeks |
风险等级 | 1.07 |
Samacsys Description | FDT86246, N-channel MOSFET Transistor, 2 A 150 V, 4-Pin SOT-223 |
Samacsys Manufacturer | onsemi |
Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
YTEOL | 6.9 |
其他特性 | ULTRA-LOW RESISTANCE |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 150 V |
最大漏极电流 (ID) | 2 A |
最大漏源导通电阻 | 0.236 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 5 pF |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2.2 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |