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FDSS2407
晶体管 > 功率场效应晶体管

FDSS2407

Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 62V, 0.11ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥11.7178
市场总库存:
42,851
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
2.09
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid FDSS2407
Brand Name Fairchild Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 2096441612
零件包装代码 SOIC
包装说明 SO-8
针数 8
制造商包装代码 8LD, SOIC,JEDEC MS-012, .150" NARROW BODY, DUAL DAP
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 2.09
雪崩能效等级(Eas) 140 mJ
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压 62 V
最大漏极电流 (ID) 3.3 A
最大漏源导通电阻 0.11 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 2
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.27 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Fairchild Semiconductor Corporation
Fairchild Semiconductor Corporation
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