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FDS6375D84Z
晶体管 > 小信号场效应晶体管

FDS6375D84Z

Fairchild Semiconductor Corporation
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.64
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid FDS6375D84Z
生命周期 Obsolete
Objectid 1475390138
零件包装代码 SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数 8
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.64
YTEOL 0
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V
最大漏极电流 (ID) 8 A
最大漏源导通电阻 0.024 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 229 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 50 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 289 ns
最大开启时间(吨) 39 ns
参数规格与技术文档
Fairchild Semiconductor Corporation
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