晶体管 > 功率场效应晶体管

FDS6064N7L99Z

Fairchild Semiconductor Corporation

Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

数据手册:

下载: FDS6064N7L99Z

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.36

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 3 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 3 个替代料

对比栏已满，请删除不需要的器件再继续添加哦！

对比栏

对比清空对比栏

ICP经营许可证苏B2-20140176 苏ICP备14012660号-5

苏公网安备 32059002001873号