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ELM34419AA-N
晶体管 > 功率场效应晶体管

ELM34419AA-N

ELM Technology Corp
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.48
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 1290916269
零件包装代码 SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数 8
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.48
雪崩能效等级(Eas) 43 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 10 A
最大漏源导通电阻 0.02 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 55 A
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
ELM Technology Corp
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