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ELM32413LA-S
晶体管 > 功率场效应晶体管

ELM32413LA-S

ELM Technology Corp
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.115ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, TO-252, 3/2 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.48
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 1290916233
零件包装代码 TO-252
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 4
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.48
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V
最大漏极电流 (ID) 10 A
最大漏源导通电阻 0.115 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 24 A
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
ELM Technology Corp
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