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DMS3016SSSA-13
晶体管 > 功率场效应晶体管

DMS3016SSSA-13

Diodes Incorporated
Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SOP-8
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥4.1364
市场总库存:
6,767
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.56
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1054528101
零件包装代码 SOT
包装说明 SOP-8
针数 8
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.56
YTEOL 0
其他特性 HIGH RELIABILITY
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 9.8 A
最大漏源导通电阻 0.016 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.54 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 90 A
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Diodes Incorporated
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