参数名称 | 参数值 |
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是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 145128546719 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
Date Of Intro | 2020-02-12 |
风险等级 | 7.63 |
YTEOL | 6.8 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 650 V |
最大漏极电流 (ID) | 36 A |
最大漏源导通电阻 | 0.079 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 9 pF |
JEDEC-95代码 | TO-263 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G7 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 7 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 136 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 99 A |
参考标准 | IEC-60747-8-4 |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON CARBIDE |