Mon May 20 2024 10:03:56 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
BUZ110SL
晶体管 > 功率场效应晶体管

BUZ110SL

Siemens
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.63
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Transferred
Objectid 1442132053
零件包装代码 TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.63
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 55 V
最大漏极电流 (ID) 80 A
最大漏源导通电阻 0.015 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消