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BSS139H6327XTSA1

Infineon Technologies AG

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥1.0851

市场总库存:

1,452,235

生命周期状态:

Active

风险等级:

1.54

风险等级:

低

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	BSS139H6327XTSA1
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	1299752804
包装说明	GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
Country Of Origin	Mainland China
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	13 weeks 4 days
风险等级	1.54
Samacsys Description	Infineon BSS139H6327XTSA1 N-channel MOSFET, 100 mA, 250 V Depletion SIPMOS, 3-Pin SOT-23
Samacsys Manufacturer	Infineon
Samacsys Modified On	2024-08-02 02:20:54
YTEOL	6.5
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	250 V
最大漏极电流 (ID)	0.1 A
最大漏源导通电阻	30 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	3.3 pF
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	DEPLETION MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管元件材料	SILICON

参数规格与技术文档

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