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BSS138LT1G
晶体管 > 小信号场效应晶体管

BSS138LT1G

onsemi
Single N-Channel Logic Level Power MOSFET 50V, 200mA, 3.5Ω, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥2.3183
市场总库存:
5,153,377
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.39
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid BSS138LT1G
Brand Name onsemi
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
Objectid 2014175881
零件包装代码 SOT-23 (TO-236) 3 LEAD
包装说明 ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数 3
制造商包装代码 318-08
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 66 weeks
风险等级 0.39
Samacsys Description MOSFET N-Channel 50V 0.2A SOT23 ON Semiconductor BSS138LT1G N-channel MOSFET Transistor, 0.2 A, 50 V, 3-Pin SOT-23
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 6.5
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V
最大漏极电流 (ID) 0.2 A
最大漏源导通电阻 3.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 5 pF
JEDEC-95代码 TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.225 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
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