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BR24H512F-5ACE2
存储 > EEPROM

BR24H512F-5ACE2

ROHM Semiconductor
EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.75
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 145565395283
包装说明 SOP-8
Reach Compliance Code compliant
风险等级 7.75
YTEOL 6.6
最大时钟频率 (fCLK) 1 MHz
数据保留时间-最小值 50
耐久性 4000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DDDR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
长度 5 mm
内存密度 524288 bit
内存集成电路类型 EEPROM
内存宽度 8
功能数量 1
端子数量 8
字数 65536 words
字数代码 64000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 64KX8
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装等效代码 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
编程电压 2.5 V
筛选级别 AEC-Q100
座面最大高度 1.71 mm
串行总线类型 I2C
最大待机电流 0.00002 A
最大压摆率 0.003 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
宽度 4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC) 3.5 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE
参数规格与技术文档
ROHM Semiconductor
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