参数名称 | 参数值 |
---|---|
Source Content uid | BFR193E6327 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 1537711300 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 0.65 |
YTEOL | 4 |
最大集电极电流 (IC) | 0.08 A |
基于收集器的最大容量 | 1 pF |
集电极-发射极最大电压 | 12 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 70 |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.58 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 8000 MHz |