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BF749
晶体管 > 射频小信号双极晶体管

BF749

NXP Semiconductors
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.39
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid BF749
生命周期 Obsolete
Objectid 1407711116
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.21.00.75
风险等级 9.39
YTEOL 0
其他特性 LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.025 A
集电极-发射极最大电压 15 V
配置 SINGLE
最高频带 L BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G4
元件数量 1
端子数量 4
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN
功耗环境最大值 0.3 W
认证状态 Not Qualified
参考标准 CECC
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 5000 MHz
参数规格与技术文档
NXP Semiconductors
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